ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
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概要
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最近ではLiイオン電池1本で動作するデジタル携帯電話が市販され、令後は一層の小型軽量化と低コスト化が進むと予想される。これへの対応には、GaAsチップ面積の縮小が有効である。令回、ゲート幅(Wg)7.0mmのオフセットゲートヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
日本電気
-
及川 洋一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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