C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
尾藤 康則
NEC化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
NEC化合物デバイス事業部
-
富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
Hau Gary
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
播磨 史生
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
西村 武史
NEC化合部デバイス事業部
-
富田 正俊
NEC化合部デバイス事業部
-
Hau Gary
NEC化合部デバイス事業部
-
田能村 昌宏
NEC化合部デバイス事業部
-
三好 陽介
NEC化合部デバイス事業部
-
播磨 史生
NEC化合部デバイス事業部
-
東 晃司
NEC化合部デバイス事業部
-
嶋脇 秀徳
NEC化合部デバイス事業部
-
岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
Gary HAU
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
-
Hau Gary
Nec化合物デバイス事業部
-
三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
-
東 晃司
Nec化合物デバイス事業部
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