外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT
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概要
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ベース抵抗の低減と走行時間の短縮がHBTの低RF雑音化に有効であることから、外部ベース領域に高濃度p^+-GaAsを選択成長により導入してベース抵抗を低減し、真性ベース層にInGaAs組成傾斜層を用いてベース走行時間を短縮したAlGaAs/InGaAs HBTを作製し、最小雑音指数0.9dB@2GHz, 1.1dB@6GHz, 1.2dB@12GHz, 1.6dB@18GHzという低RF雑音特性を得た。本結果より、本HBTは高出力増幅器や低位相雑音発振器と組み合わせた形での低雑音応用 (多機能MMIC) に有望である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-26
著者
-
嶋脇 秀徳
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
-
丹羽 隆樹
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
百々 秀彰
NEC光、超高周波デバイス研究所
-
百々 秀彰
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
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