C-3-140 レセプタクル構造 40Gb/s 超小型受光フロントエンドモジュール
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2003-09-10
著者
-
牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
深津 公良
NECシステムデバイス研究所
-
芝 和宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
-
深津 公良
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
NEC光・無線デバイス研究所
-
加藤 友章
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
芝 和宏
NEC光デバイス事業部
-
鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
-
天宮 泰
NEC 光・無線デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
NEC光・無線研究所
-
鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
-
芝 和宏
NEC光・無線デバイス研究所
-
深津 公良
NEC光・無線デバイス研究所
-
芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
Nec ナノエレクトロニクス研
-
鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
-
天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
-
加藤 友章
日本電気(株)
関連論文
- 10G-EPONバースト光送信、受信技術 : G-EPONとの共存にむけて(次世代ネットワーク,電力線通信,無線通信方式,一般)
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
- バンドギャップ制御選択MOVPE成長を用いた窓構造光変調器/DFBレーザ集積化光源
- C-3-71 プラスチックモールド送信モジュールの6Gb/s広温度動作(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
- C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
- 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
- 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
- PC-LDの反射戻り光耐性の回折格子長依存性
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- C-4-1 1.1μm帯VCSEL・レシーバによる30Gb/s-100m MMF(GI32)伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-29 Type-IIトンネル接合を用いた1.1μm帯低抵抗VCSEL(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-75 低コストプラスチックモールド送信/受信モジュールのSGbps動作(アクティブモジュール・AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-14 高速インターコネクション向け1.1μm帯VCSELの25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 光インターコネクション用1.1μm帯InGaAs VCSEL(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-4-11 850nm帯VCSELによる17Gbps変調動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-3-5 ハイブリッド集積SOAG小型モジュールの光スイッチング特性
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- C-2-30 Ku帯オンチップマッチSi MOSFET MMIC
- 微細MOSFETを用いたSPSTスイッチ
- シリコン上のスパイラルインダクタのモデリング
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチのフェムト秒動作とその光集積化
- ハイブリッド集積SOAモジュールにおけるSOA-PLC間の結合特性
- C-10-7 DPSK/DQPSK光受信用差動トランスインピーダンス増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 1.5V低電圧60Gb/s D-F/F回路
- C-4-16 導波路型アバランシェ・フォトダイオードを用いた高感度 40Gb/s-APD 光受信器
- InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- InAIAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 部分回折格子LDを用いた表面実装型LDモジュールの雑音特性
- SiGe-ICを用いた20 Gb/s光送受信器(長距離・大容量光通信技術論文小特集)
- Si-lCを用いた20Gb/s光送受信器
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
- 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- C-4-37 10Gb/s小型光受信モジュール用高感度プレーナ型APD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 2.4Gbit/s 1チツプ小型光受信器
- P+再成長外部ベースを有するHBTプリアンプ
- B-10-140 広入力ダイナミックレンジを有する 40-Gb/s 光受信器の開発
- 超高速光伝送用PIN-Amp.モジュール
- C-4-12 ゲートモードアバランシェフォトダイオード光子検出器のアフターパルスモデル(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-29 強結合法を用いた23GHz帯アクティブ集積アンテナアレイの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- 隣接チャネル漏洩電力の解析
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- C-4-1 1.31μm/1.55μm 対応 40Gb/s 耐高光入力装荷型受光素子
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- C-4-31 導波路型構造を用いた10Gbps低電圧動作高感度アバランシェ・フォトダイオード
- 1.55μm帯アクセス系レシーバ用導波路型受光素子
- C-3-85 40Gb/s光受信器用高効率導波路型受光素子
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用
- BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- MMIC発振器を用いたセラミック基板上のアクティブ集積アンテナアレイ
- BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- 高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発(フォトニックネットワーク/制御,光制御(波長変換・スイッチング等),光波/量子通信,GMPLS,アクセス網技術,一般)
- C-4-24 非対称デルタドープ超格子構造を有する高起電圧光電池(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-23 光インターコネクション用マルチモードファイバ対応PIN-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,一般)
- C-4-16 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-113 MEMSを用いたサージ光抑制器の開発(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-36 非対称ガイド層構造を用いた高感度10Gb/s導波路型アバランシェ・フォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-140 レセプタクル構造 40Gb/s 超小型受光フロントエンドモジュール
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- アクセス、及び幹線系光受信器用導波路型受光素子
- GaAs HBT-ICモジュールを用いた40Gb/s RZ光パルス受信実験
- チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
- 部分回折格子レーザの-40℃〜85℃耐反射622 Mbit/s変調特性
- MMIC発振器を用いた小型アクティブ集積アンテナアレイ
- 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
- 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
- 高出力Siバイポーラトランジスタにおける歪解析
- 0.5μmゲートHJFETを用いた2.4GHz帯PLLIC
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
- 高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発