選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
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概要
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選択MOVPE成長技術は、導波路幅Wが選択成長用SiO_2マスクパターンで精細に制御可能、ハンドギャップ制御が可能、という特長を有しており種々の光集積回路(PICs)製作のための重要技術である。PICs実現のためには各コンポネント間を接続する受動光導波路が必要であるが、能動光デバイスと構造が整合した埋め込み構造(BH構造)光導波路が望ましい。選択MOVPE成長により光導波路を製作すると、その導波路側壁は平滑な(111)B結晶面となるため低損失光導波路が期待でき、既にリッジ構造受動光導波路についてはその超低損失性を確認している。今回、選択MOVPE成長により製作したBH構造直線導波路についてその導波路損失評価を行いその超低損失性を確認したので報告する。
- 1995-09-05
著者
-
小松 啓郎
Nec
-
竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
浜本 貴一
NECシステムデバイス研究所
-
浜本 貴一
NEC光エレクトロニクス研究所
-
佐々木 達也
NEC光エレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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