バンドギャップ制御選択MOVPEによる10Gb/s用変調器集積化光源
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概要
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光通信システムの高速・長距離化に伴い、低チャープの外部変調器の導入が始まっている。我々は、これまでにDFB/MOD変調器集積化光源の低電圧・高出力動作の検討を行い、2.5Gb/s-120km以上のペナルティフリー伝送について報告した。今回、この2.5Gb/s用DFB/MODエピウェハを用い電極形成をポリイミドを用いたプロセスに変更することにより電極容量を低減した。この結果、ウェハレベルで2.5Gb/s素子と互換性のある100Gb/s用DFB/MODを作製し、良好な素子特性及び10Gb/s-120kmの伝送実験を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
-
山崎 裕幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小松 啓郎
Nec
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
清水 淳一
NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
井元 康雅
Nec Ul開研
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