プリバイアス印加による変調器集積化光源のブルーチャープ機構の解析とトレランスの検討
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概要
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電界吸収型変調器にプリバイアスを印加することにより変調時のチャーピングを低減して、10Gb/sにおける分散制限伝送距離を伸ばすことが報告されている。また、効果的にブルーチャープを生じさせるための理論的検討もなされている。今回、我々はMQWへの電界印加による吸収変化及び屈折率変化を計算することによりブルーチャープ機構を明らかにすると共に、ウェハー面内で離長△λ(DFBレーザの発振波長とEA変調器の吸収端波長との差)の揺らぎがある場合のプリバイアス印加法の実用性についても検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小松 啓郎
Nec
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
石坂 政茂
NEC光エレクトロニクス研究所
-
清水 淳一
NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部
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