C-4-35 シリコン細線型リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-03-04
著者
-
徳島 正敏
Necナノエレクトロニクス研究所
-
中村 滋
日本電気株式会社基礎・環境研究所
-
斉藤 恵美子
日本電気株式会社ナノエレタトロニクス研究所:(財)光産業技術振興協会
-
中村 滋
NECナノエレクトロニクス研究所
-
藤岡 伸秀
NECナノエレクトロニクス研究所
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
藤岡 伸秀
日本電気株式会社ナノエレタトロニクス研究所
-
儲 涛
日本電気株式会社ナノエレタトロニクス研究所
-
徳島 正敏
日本電気株式会社ナノエレタトロニクス研究所
-
石坂 政茂
日本電気株式会社ナノエレタトロニクス研究所
-
儲 涛
Necナノエレクトロニクス研究所:(現)産業技術総合研究所
-
藤岡 伸秀
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
中村 滋
日本電気株式会社 基礎・環境研究所
関連論文
- 10Gb/s変調器集積化光源とそのチャープ特性の検討
- CS-9-10 フォトニックノードの超高機能化に向けたフォトニック結晶シリコン光回路デバイス(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- ECOC2009報告 : 光アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- シリコン細線リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
- 通信用光デバイスの低消費電力化 (特集 ネットワークの省エネ化を実現する光技術)
- B-10-73 超高速半導体SMZスイッチによる全光640Gbit/s OTDM信号の多重分離(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- C-3-65 シリコン導波路を利用した光合分波器集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-35 シリコン細線型リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチによる超高速全光信号処理(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]対称マッハツェンダー型全光スイッチによる超高速全光信号処理(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- SC-5-2 対称マッハツェンダー全光スイッチと全光信号処理
- C-3-118 対称マッハツェンダ型全光スイッチの位相バイアス制御方式
- B-10-45 消費電力低減を指向した超大容量光伝送システム(B-10.光通信システムB(光通信), 通信2)
- 超短パルス光と全光スイッチング
- 超高速全光スイッチとそれを用いた全光信号処理技術の研究動向
- 位相調整機能付SMZ超高速光スイッチ
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチと超高速全光信号処理
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチと超高速信号処理
- B-10-141 光パケット圧縮伸張技術を用いた通信ノード方式の検討(3) : パケット伸張装置
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチのフェムト秒動作とその光集積化
- 半導体中の共鳴励起非線形光学効果に伴う波長シフトを利用したフェムト秒全光スイッチ
- 半導体の非線形光学効果と超高速全光スイッチ
- ECOC2009報告 : 光アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-3-64 シリコン導波路を用いた小型低消費電力波長可変レーザモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコン細線リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-3-19 FDTD法によるフォトニック結晶中での光ビーム広がりと損失計算
- C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- 2.5Gb/s DFB/MOD の通常分散ファイバー800km伝送
- MOVPE選択成長を用いた光変調器集積化光源
- プリバイアス印加による変調器集積化光源のブルーチャープ機構の解析とトレランスの検討
- オフセットバイアス・フリーでプッシュプル駆動可能な半導体Mach-Zehnder変調器
- 吸収変化を伴うMQW Mach-Zehnder変調器におけるチャーピングの解析
- CS-6-4 低消費電力フォトニックノードに向けたシリコン光回路デバイス(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- モード同期半導体レーザを用いた全光信号処理技術((フォトニック)IPネットワーク技術,(光)ノード技術,WDM技術,一般)
- モード同期半導体レーザを用いた全光信号処理技術
- BS-7-5 モード同期半導体レーザ(MLLD)による光位相同期ループを用いた偏波無依存光クロック抽出(BS-7. 光3Rの実現可能性〜フォトニックネットワーク構築に向けて, 通信2)
- 干渉型全光スイッチによる全光信号再生特性 : 単体および多段接続時における期待性能の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 干渉型全光スイッチによる全光信号再生特性 : 単体および多段接続時における期待性能の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 干渉型全光スイッチによる全光信号再生特性 : 単体および多段接続時における期待性能の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 新規動作条件を導入した対称マッハ・ツェンダ型スイッチによるビットレート無依存NRZ全光波長変換とその出力光伝送特性(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- 新規動作条件を導入した対称マッハ・ツェンダ型スイッチによるビットレート無依存NRZ全光波長変換とその出力光伝送特性(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- 新規動作条件を導入した対称マッハ・ツェンダ型スイッチによるビットレート無依存NRZ全光波長変換とその出力光伝送特性(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- C-3-61 スケーラブル光ネットワークに向けた全半導体ベースの光3R中継器(光モジュール)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-4-41 全半導体ベース 40 Gbps 光 3R 中継器の特性と中継間隔との関係
- C-4-40 400km 光 3R 中継スパン拡張における 40 Gbit/s、1 万 km 伝送
- B-10-50 光 3R 中継器による 40Gbit/s、 12,000km 伝送
- C-4-7 2 段カスケード SMZ 光スイッチによる 40Gbps 光 3R の動作実証
- 対称マッハ・ツェンダー型全光スイッチの超高速・低エネルギー動作
- B-10-59 低消費電力EA変調器ドライバIC内蔵10Gb/s光送信モジュール
- 低消費電力10Gb/s EA変調器ドライバIC
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- C-3-84 超小型ピラー型フォトニック結晶マッハーツェンダー干渉計(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 位相調整機能付SMZ超高速光スイッチ
- 位相調整機能付SMZ超高速光スイッチ
- C-3-130 PLCリング共振器による波長可変レーザ(II)(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-129 PLCリング共振器による波長可変レーザ(I)(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 2.5Gbps変調器集積化光源モジュールのWDM対応 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
- 半導体中の共鳴励起非線形光学効果に伴う波長シフトを利用したフェムト秒全光スイッチ
- 半導体中の共鳴励起非線形光学効果に伴う波長シフトを利用したフェムト秒全光スイッチ
- 半導体中の共鳴励起非線形光学効果に伴う波長シフトを利用したフェムト秒全光スイッチ
- ECOC2009報告 : 光アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 2.5Gbps変調器集積化光源モジュ-ルNDL7910P (半導体デバイス特集) -- (コミュニケ-ション関連デバイス)
- 動作速度が高効率非線形屈折率変化の遅い緩和時間に制限されない超高速光-光スイッチ
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- 解説 超短パルス光と全光スイッチング (超短パルス光と光通信)
- 半導体光増幅器を用いた超高速全光信号処理技術 (特集 光通信のブレークスルーをめざして)
- MOVPE選択成長を用いた多波長レーザアレイ
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-46 光スイッチ応用に向けたシリコンフォトニクスデバイス(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 4-5 最先端シリコンフォトニクスデバイス(4.光デバイスの最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 最先端シリコンフォトニクスデバイス