高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
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概要
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電界吸収型変調器は、小型で低電圧・高速動作が可能なことから40Gb/s光通信用変調器として開発が進められている。電界吸収型変調器では吸収に伴う屈折率変動に起因してチャーピングが発生するが、これは変調時のDCオフセットバイアスにより制御できることが知られている。これまで、オフセットバイアス制御を含めたEA変調器の40Gb/sNRZ伝送に対する分散耐力は明確にされていない。この分散耐力を明らかにすることは、40Gb/s光通信システムの分散マネジメントを検討する上で重要な指標となる。今回我々は、バットジョイントにより受動導波路を集積したEA変調器を作成し、40Gb/sの良好な変調特性を確認した。また、製作した変調器のチャープ特性を測定し、この効果を考慮した伝送シミュレーション行うことによって、製作したEA変調器の40Gb/s-NRZ伝送における分散耐力を明らかにしたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-02-15
著者
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
深津 公良
NECシステムデバイス研究所
-
深津 公良
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
-
小林 隆二
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
-
芝 和宏
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
-
難波江 宏一
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
-
森 一男
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
-
石坂 政茂
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
-
芝 和宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
深津 公良
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
芝 和宏
NEC光デバイス事業部
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
-
芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
-
石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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