10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
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概要
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1.3μm帯AlGaInAs BH構造DFBレーザにおいて、歪補償MQW構造の最適化を行った。その結果、100℃の高温においても変調電流振幅25.8mAp-p、バイアス電流44mAの低駆動電流で10Gb/s直接変調を実現した。更に、5000時間を越える光出力一定試験から10万時間の信瀬性を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-14
著者
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
室谷 義治
NEC化合物デバイス(株)
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
石川 信
NEC化合物デバイス(株)
-
黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
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