C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-08
著者
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
黄 翊東
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
芝 和宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
芝 和宏
NEC光デバイス事業部
-
芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
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