光インターコネクション用1.1μm帯InGaAs VCSEL(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
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概要
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超高速計算機内のデータ転送速度増大のため、高速化、高密度化可能な光伝送の適用が検討されており、光源として消費電力、高密度集積に優れるVCSELが有望視されている。高速化と高信頼性の両立に適しているInGaAs/GaAs-QWを活性層としたVCSELを作製し、20Gbpsでの動作と初期信頼性を実証した。さらなる高速化には電気抵抗の低減が重要となるが、その手段としてType-II型トンネルジャンクションを用いた構造を提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-02
著者
-
屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
-
深津 公良
NECシステムデバイス研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
-
鈴木 尚文
NECシステムデバイス研究所
-
阿南 隆由
NECシステムデバイス研究所
-
辻 正芳
NECシステムデバイス研究所
-
深津 公良
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
辻 正芳
グリーンイノベーション研究所
-
屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
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