GaAsSb/GaAs量子井戸を用いた1.3μm帯面発光レーザ特性
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概要
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次世代高速LANの光源として1.3μm帯面発光レーザ(VCSEL)が注目を集めている。我々はGaAs基板上のAlGaAs系多層反射鏡(DBR)とGaAsSb-量子井戸(QW)を組み合わせたVCSELを提案し、実証してきた。GaAsSb-QWはガスソース分子線成長法(GSMBE),有機金属気相成長法(MOVPE)といった作製手法によらず同等の特性が得られるため、生産性の高いMOVPEを用いた一貫成長が可能である。ここではDBRをMOVPEで、GaAsSb-QWをGSMBEで作製したVCSELを用いて、1.295μm波長の室温CW発振及び、シングルモードファイバーを用いた1.27μm波長での10km2.5Gbps伝送を実現したので紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-02-15
著者
-
阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
-
西 研一
Nec
-
西 研一
NEC 光・無線デバイス研究所
-
菅生 繁男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
栗原 香
NEC 光・無線デバイス研究所
-
山田 みつき
NEC 光・無線デバイス研究所
-
阿南 隆由
NEC 光・無線デバイス研究所
-
管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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