自己形成量子ドットレーザの利得と発振特性
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概要
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自己形成量子ドットレーザ特性の反射損失依存性を測定した。共振器長を長くして反射損失を低減することにより、室温におけるしきい値電流密度が20%下がり、660A/cm^2となった。また、77Kでは40%以上下がり、140A/cm^2となった。それにともない、発振波長が室温で20nm、77K で29nm長波長側にシフトした。特に77Kでは、発振波長とドットの基底準位の差は14nmまで縮小し、量子ドット基底準位近傍での発振が実現された。基底準位発振の条件を簡単に見積もり、今回作製したドットレーザの場合、反射損失が2.55cm^<-1>以下であることが必要なことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-08
著者
-
西 研一
Nec
-
杉本 喜正
NEC光エレクトロニクス研究所
-
斎藤 英彰
Nec 光・無線デバイス研究所
-
斎藤 英彰
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
菅生 繁男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
西 研一
NEC光エレクトロニクス研究所
-
斎藤 英彰
NEC光エレクトロニクス研究所
-
菅生 繁男
NEC光エレクトロニクス研究所
-
杉本 喜正
日本電気株式会社光エレクトロニクス研究所
-
管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
杉本 喜正
静岡大学電子工学研究所
-
杉本 喜正
物材機構・ナノテク融合セ
-
西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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