自己形成量子ドットを用いた面発光レーザ
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概要
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近年、SKモードを使った自己形成的な量子ドット成長法によい高均一で低欠陥なドットの作製が可能となった。そこで、閾値電流密度の低減、温度特性や変調特性の向上を目指した量子ドットレーザの作製が進められている。量子ドットを使ったレーザのうち、垂直共振器型面発光レーザは、微小共振器中で励起子と光子の制御が可能である。本報告では、自己形成量子ドットを活性層に持つ垂直共振器型面発光レーザの作製とその室温CW発振について述べる。さらに、量子ドットのデバイス展望について簡単に示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
西 研一
Nec
-
斎藤 英彰
Nec 光・無線デバイス研究所
-
斎藤 英彰
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
菅生 繁男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
西 研一
NEC光エレクトロニクス研究所
-
斎藤 英彰
NEC光エレクトロニクス研究所
-
菅生 繁男
NEC光エレクトロニクス研究所
-
管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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