自己形成量子ドット面発光レーザによる偏光制御
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概要
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成長面内に構造異方性を有する自己形成量子ドットを活性層に用いることにより, 面発光レーザの偏光制御を実現した. GaAs(1OO)面上に形成されたInGaAs量子ドットは, [O1^^-1]方向に長い構造異方性を有する. PL測定において, [O1^^-1]方向に偏光した光は, [011]偏光より約1.37倍強いことが確認された. この異方的なInGaAs量子ドットを活性層に用いた面発光レーザを作製し, 量子ドットの基底準位での発振を確認した. レーザ光は[0^^-11]方向に偏光しており, [011]方向の偏光強度との消光比として, 18dbという値が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-04
著者
-
西 研一
Nec
-
杉本 喜正
NEC光エレクトロニクス研究所
-
斎藤 英彰
Nec 光・無線デバイス研究所
-
斎藤 英彰
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
菅生 繁男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
西 研一
NEC光エレクトロニクス研究所
-
斎藤 英彰
NEC光エレクトロニクス研究所
-
菅生 繁男
NEC光エレクトロニクス研究所
-
杉本 喜正
日本電気株式会社光エレクトロニクス研究所
-
管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
杉本 喜正
静岡大学電子工学研究所
-
杉本 喜正
物材機構・ナノテク融合セ
-
西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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