GaAsSb系長波面発光レーザ
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概要
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GaAs基板上で1.3μm帯発光を有する新材料系としてGaAsSb/GaAs系量子井戸を提案し、長波VCSELへ適用した。GSMBE結晶成長最適化、及び不均一注入を制御するp型変調ドープ構造により量子井戸活性層の高性能化を実現した。AlAs/GaAsDBRを有するVCSELを作製した結果、GaAs系VCSELとしては最も長波長(1.23μm)で、閾値電流0.6mAの低閾値室温CW発振、更に最高CW発振温度75℃を実現し、GaAsSb系長波VCSELは将来の大容量光インターコネクション用光源として有望であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-23
著者
-
阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
-
西 研一
Nec
-
菅生 繁男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
栗原 香
NEC 光・無線デバイス研究所
-
山田 みつき
RWCP光インターコネクションNEC研究室
-
阿南 隆由
RWCP光インターコネクションNEC研究室
-
栗原 香
RWCP光インターコネクションNEC研究室
-
西 研一
RWCP光インターコネクションNEC研究室
-
徳留 圭一
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
亀井 明夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
菅生 繁男
RWCP光インターコネクションNEC研究室
-
管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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