徳留 圭一 | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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徳留 圭一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
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畠山 大
NECシステムデバイス研究所
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鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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NEC 光・無線デバイス研究所
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NEC 光・超高周波デバイス研究所
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徳留 圭一
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深津 公良
NECシステムデバイス研究所
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深津 公良
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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屋敷 健一郎
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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山田 みつき
NEC 光・無線デバイス研究所
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徳留 圭一
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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徳留 圭一
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阿南 隆由
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NEC光・超高周波デバイス研究所
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菅生 繁男
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NECシステムデバイス研究所
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中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
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鈴木 尚文
NECシステムデバイス研究所
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阿南 隆由
NECシステムデバイス研究所
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山田 みつき
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NEC 光・無線デバイス研究所
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山田 みつき
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阿南 隆由
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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栗原 香
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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西 研一
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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菅生 繁男
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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亀井 明夫
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山田 みつき
NEC光・超高研
著作論文
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- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CS-4-7 高速・大容量データ通信用VCSEL(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
- 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaAsSb系長波面発光レーザ
- GaAsSb/GaAs系長波VCSEL
- GaAsSb系長波長半導体レーザ
- InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価
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