InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価
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概要
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GSMBE法を用いて高品質な歪InAsPを成長し、そのバンド構造を明らかにした。InAsP/InP伝導帯バンド不連続比は、従来報告されている値(0.75)よりもかなり小さく約0.35程度であった。そこで光加入者系1.3μm帯高温特レーザ用の新材料系としてInAsP/InAlGaAs量子井戸構造を提案し、InAlGaAsバリア層のAl組成を適切に選ぶことによりタイプI型超格子構造が実現できることを実証した。また、量子井戸の高品質化のため、InPスペーサ層導入と、GSMBE成長後のRTAを行い、大幅なPL強度改善およびLDの低開化を実現した。幅広ストライプレーザによる評価では、高温において良好なLD特性(T_o=116K)を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-09
著者
-
阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
-
菅生 繁男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
山田 みつき
NEC 光・無線デバイス研究所
-
阿南 隆由
NEC 光・無線デバイス研究所
-
徳留 圭一
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
徳留 圭一
Nec 光・超高周波デバイス研
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