InP基板上長波InAs量子ドットレーザ
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概要
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lnP(311)B基板上に自己形成1nAs量子ドット/1nA1GaAs層をMBEにより成長した。量子ドットは9×l0^<10>cm^<-2>の高密度で形成され、室温でのPL発光波長は1.6μmであった。77K〜300Kの温度範囲でのPL発光強度と半値幅の変化が非常に小さいことが観測された。我々は5周期多層化したlnAs量子ドット層を活性層とした量子ドットレーザを作製し、1.6μmでの室温基底準位発振を実現して380A/cm^2の低閾値電流密度を得た。さらに共振器長0.5mmのリッジレーザで閾値電流20mAのCW発振を実現した。このレーザはDWDM波長帯での低チャープ光源としての応用が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-29
著者
-
西 研一
Nec
-
斎藤 英彰
Nec 光・無線デバイス研究所
-
斎藤 英彰
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
西 研一
NEC 光・無線デバイス研究所
-
菅生 繁男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
斎藤 英彰
NEC光エレクトロニクス研究所
-
管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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