MOVPEにおけるAs/P置換のその場エリプソ信号とその表面状態
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概要
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MOVPEを用いた結晶成長中の表面状態を、エリプソメトリーを用いてその場観測し、InGaAs上のAs/P置換に対応するエリプソ信号に2つの成分があることを観測した。X線回折、AFM観察、TEM観察をつきあわせて詳細な解析を行った結果、これらの成分がAs/P置換された膜厚、表面荒れの深さに対応していることを実験的に見いだした。さらに光学特性の評価を行い、これらの成分の現れ方を結晶成長中に観測することで、高品質な界面を得るための成長条件の最適化が容易になることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-16
著者
-
阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
西 研一
Nec
-
西 研一
Nec光・超高周波デバイス研
-
菅生 繁男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
栗原 香
NEC 光・無線デバイス研究所
-
管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
栗原 香
NEC光・無線デバイス研究所
-
阿南 隆由
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
菅生 繁男
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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