C-4-47 85℃, 10Gb/s直接変調用低閾値1.3μm帯AlGaInAs BHレーザ
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概要
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- 電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
-
小林 健一
Nec光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
大澤 洋一
NEC光・無線デバイス研究所
-
中村 隆宏
NEC光・無線デバイス研究所
-
鶴岡 清隆
NEC光・無線デバイス研究所
-
寺門 知二
NEC光・無線デバイス研究所
-
栗原 香
NEC光・無線デバイス研究所
-
五明 明子
NEC光・無線デバイス研究所
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