高速POFデータリンク用低閾値650nmAlGaInP半導体レーザ
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概要
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近年、高速GI型プラスチックファイバ(GI-POF)が開発され、低コストの高速データリンク用として注目されている。その光源としてPOFの低損失波長帯である650nmのLDが期待される。今回、我々は650nm LDに(115)A GaAs基板を導入することにより低閾値化を図り、さらに、ダブルチャネル構造とすることにより4Gb/sの高速変調動作を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
小林 健一
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
小林 健一
Nec光・無線デバイス研究所
-
上野 芳康
Nec光エレクトロニクス研究所
-
小林 健一
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
宮坂 文人
NEC光エレクトロニクス研究所
-
堀田 等
NEC光エレクトロニクス研究所
-
丹生 隆之
NEC光エレクトロニクス研究所
-
山崎 俊太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
山崎 俊太郎
NECインターネットシステム研究所
-
小林 健一
Nec 光・無線デバイス研
-
堀田 等
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
宮坂 文人
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
小林 健一
NEC光エレクトロニクス研究所
-
山崎 俊太郎
Nec共通基盤ソフトウェア研究所:慶應義塾大学先導研究センター
-
多田 健太郎
Nec光エレクトロニクス研究所
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