100℃-2.5Gb/s高速変調動作の0.98-μm InGaAs/AlGaAsレーザ
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概要
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最近、加入者系光通信や装置間配線の光ファイバ化の普及に伴い、短・中距離光通信における、低コスト・耐環境・低消費電力な光源が求められている。現在、この分野では1.3μm帯レーザやLEDが光源として用いられている。しかし、1.3μm帯光源は特性温度が低く、高温動作に際しては高度の設計・作製技術が要求される。一方、InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザは高効率特性、優れた温度特性を有し、高温動作・低電力動作が期待される。今回、Erドープファイバアンプ励起用の高出力レーザに比べ光閉じ込め率を増大させた設計を行った0.98μm帯レーザを作製し、100℃で2.5Gb/sの高速変調動作を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
宮崎 孝
R&dサポートセンター
-
石川 信
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
丹生 隆之
NEC光エレクトロニクス研究所
-
山崎 俊太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
山崎 俊太郎
NECインターネットシステム研究所
-
千田 浩明
NEC光エレクトロニクス研究所
-
深谷 一夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
宮崎 孝
NEC光エレクトロニクス研究所
-
石川 信
NEC光エレクトロニクス研究所
-
深谷 一夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
山崎 俊太郎
Nec共通基盤ソフトウェア研究所:慶應義塾大学先導研究センター
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