C-4-35 端面非注入型リッジ埋め込み構造を有する980nmレーザの高出力特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
宮崎 孝
R&dサポートセンター
-
千田 浩明
NECシステムデバイス研究所
-
石川 信
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
宮崎 孝
NECシステムプラットフオーム研究所
-
堀江 美香
NECシステムプラットフオーム研究所
-
鳥飼 俊敬
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
深谷 一夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
五十嵐 俊昭
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
堀江 美香
R&dサポートセンター
-
鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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