C-4-36 非対称ガイド層構造を用いた高感度10Gb/s導波路型アバランシェ・フォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
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概要
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- 2004-03-08
著者
-
芝 和宏
NECナノエレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
芝 和宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
-
芝 和宏
NECシステムデバイス研究所
-
芝 和宏
NEC光デバイス事業部
-
中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
中田 武志
NECシステムデバイス研究所
-
牧田 紀久夫
NECシステムデバイス研究所
-
鳥飼 俊敬
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
Nec ナノエレクトロニクス研
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
-
鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス研究所
-
鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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