導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
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概要
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ギガビット型小型受信機のキーデバイスとして、高速・高感度アバランシェ・フォトダイオードの開発がすすめられている。本研究では導波路型構造と薄膜増倍層の導入による低電圧動作化、高速高感度化について検討し、薄膜InAlAs増倍層付き導波路型アバランシェ・フォトダイオードの作製及び評価を行い、ブレークダウン電圧15VとGB積180GHzを得た。また、この導波路型アバランシェ・フォトダイオードとプリアンプICとで構成した受信機のback-to-backの感度評価を行ったところ、10Gbps-APD受信機として最高感度の-28.8dBm(@BER10^<-9>PRBS 2^<23>-1)を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-11-09
著者
-
牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
-
竹内 剛
Necシステムプラットフォーム研究所
-
中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
中田 武志
NECシステムデバイス研究所
-
牧田 紀久夫
NECシステムデバイス研究所
-
竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
-
鳥飼 俊敬
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
Nec ナノエレクトロニクス研
-
鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス研究所
-
鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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