選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Video-on-Demandシステムなど、双方向光通信システムに於けるキーデバイスとして、光送受信デバイスの開発が進められている。今回我々は、低コストな光送受信デバイスとしてバンドギャップ制御MOVPE選択成長による光集積素子を提案する。バンドギャップ制御選択成長を用いて全ての光導波層を一括形成すれば、ハイブリッドモジュールと比較して組立コストを大幅に低減できる上、光デバイス間の高い結合効率を高歩留まりで実現できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
小松 啓郎
Nec
-
竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
浜本 貴一
NECシステムデバイス研究所
-
浜本 貴一
NEC光エレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
-
牧田 紀久夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
佐々木 達也
NEC エレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
関連論文
- 10Gb/s変調器集積化光源とそのチャープ特性の検討
- 全選択MOVPE成長半導体レーザ (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- ウエハ内一括形成されたディチューニング制御広波長域(>70 nm)異波長DFB-LD
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
- バンドギャップ制御選択MOVPE成長を用いた窓構造光変調器/DFBレーザ集積化光源
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- CS-3-3 アクティブMMIによるFTTH用1V駆動レーザー(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチによる超高速全光信号処理(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]対称マッハツェンダー型全光スイッチによる超高速全光信号処理(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- SC-5-2 対称マッハツェンダー全光スイッチと全光信号処理
- C-3-118 対称マッハツェンダ型全光スイッチの位相バイアス制御方式
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチのフェムト秒動作とその光集積化
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- C-4-16 導波路型アバランシェ・フォトダイオードを用いた高感度 40Gb/s-APD 光受信器
- 高温高信頼1.3μm歪MQW-ASM-DC-PBHレーザ
- SC-3-5 モード同期半導体レーザの超高速光通信技術への展開
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 液体介在リフローによるハイブリッド集積 SOAG アレイモジュールの大気中光素子セルフアライン実装
- C-3-36 ドライバIC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール(2) : 実装技術
- C-3-35 ドライバIC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール(1) : 構造および特性
- C-3-123 モード同期半導体レーザの高精度周波数制御と高速光通信・全光信号処理への応用
- B-10-49 モノリシックモード同期半導体レーザを用いた40GHz SDH周波数光クロック抽出
- C-4-18 周波数チューニングによるモード同期半導体レーザのSDH周波数動作
- SiGe-ICを用いた20 Gb/s光送受信器(長距離・大容量光通信技術論文小特集)
- Si-lCを用いた20Gb/s光送受信器
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- 光ゲート用SSC-SOA
- 低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール
- S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
- 2.5Gb/s DFB/MOD の通常分散ファイバー800km伝送
- 低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
- MOVPE選択成長を用いた光変調器集積化光源
- 10Gb/s光通信用バタフライ型EA変調器集積光源モジュール
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- プリバイアス印加による変調器集積化光源のブルーチャープ機構の解析とトレランスの検討
- MOVPE選択成長を用いたInP系8×8スターカップラ
- 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
- EA変調器の順方向自己バイアス現象によるチャーピングの増大とその抑制
- 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- バンドギャップ制御選択MOVPEによる10Gb/s用変調器集積化光源
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- DFB-LD/変調器集積化光源における低電圧・高出力化の検討
- 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
- オフセットバイアス・フリーでプッシュプル駆動可能な半導体Mach-Zehnder変調器
- 選択MOVPE法による低動作電流型LDアンプアレイ
- 吸収変化を伴うMQW Mach-Zehnder変調器におけるチャーピングの解析
- 変調器集積化光源の低チャープ動作条件の検討(II)
- MOVPE選択成長による偏光無依存型1.3μm帯LDアンプアレイ
- 電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上
- 2.4Gbit/s 1チツプ小型光受信器
- B-10-140 広入力ダイナミックレンジを有する 40-Gb/s 光受信器の開発
- 超高速光伝送用PIN-Amp.モジュール
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ波長選択光源のデバイス設計 : MMIの3次元BPMと、実験結果との比較
- 異波長帯マイクロアレイ波長選択光源のウエハ内一括作製
- C-4-1 1.31μm/1.55μm 対応 40Gb/s 耐高光入力装荷型受光素子
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- C-4-31 導波路型構造を用いた10Gbps低電圧動作高感度アバランシェ・フォトダイオード
- 1.55μm帯アクセス系レシーバ用導波路型受光素子
- C-3-85 40Gb/s光受信器用高効率導波路型受光素子
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- C-3-56 アレイ駆動対応CMOS-IC/TEC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール
- オプトエレクトロニクス・光デバイス
- C-4-36 非対称ガイド層構造を用いた高感度10Gb/s導波路型アバランシェ・フォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-140 レセプタクル構造 40Gb/s 超小型受光フロントエンドモジュール
- アクセス、及び幹線系光受信器用導波路型受光素子
- SC-2-4 DWDM用波長選択光源
- GaAs HBT-ICモジュールを用いた40Gb/s RZ光パルス受信実験
- 導波路幅拡大構造スポットサイズ変換器集積レーザのテーパ形状最適化
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- MOVPE 選択成長と半導体集積回路への応用
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術