浜本 貴一 | NECシステムデバイス研究所

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概要

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• 浜本 貴一

  NECシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

• 大矢 昌輝

  Nec システムデバイス研究所

• 難波江 宏一

  NEC システムデバイス研究所

• 難波江 宏一

  NECシステムデバイス研究所

• 須藤 信也

  NECシステムデバイス研究所

• 小松 啓郎

  Nec

• 佐々木 達也

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 竹内 剛

  Nec光無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部

• 笠原 健一

  立命館大学

• 大矢 昌輝

  NECシステムデバイス研究所

• 清水 省吾

  立命館大学理工学部

• 須藤 信也

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 林 雅子

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 笠原 健一

  立命館大学大学院理工学研究科

• 竹内 剛

  Nec光・無線デバイス研究所

• 清水 省吾

  立命館大学大学院理工学研究科

• 浜本 貴一

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 竹内 剛

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 田口 剣申

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 牧田 紀久夫

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 田口 剣申

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• モハマド ダニアル

  立命館大学理工学部

• ダニアル モハマド

  立命館大学理工学部

• 佐々木 達也

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 浜本 貴一

  NEC光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 畠山 大

  NECシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 畠山 大

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  NEC システムデバイス研究所

• 浜本 貴一

  NEC システムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光・無線デバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 竹内 剛

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 牧田 紀久夫

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 難波江 宏一

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大矢 昌輝

  NEC光・無線デバイス研究所

• 横山 吉隆

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 室谷 義治

  関西エレクトロニクス研究所

• 田口 剣申

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 浜本 貴一

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 林 雅子

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  NEC エレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  日本電気株式会社

• 工藤 耕治

  NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 浜本 貴一

  NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 畠山 大

  NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 横山 吉隆

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 浜本 貴一

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 横山 吉隆

  日本電気株式会社光デバイス事業部

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所

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著作論文

• 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
• CS-3-3 アクティブMMIによるFTTH用1V駆動レーザー(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• C-4-42 アクティブMMIによる低消費電力型高出力励起レーザー
• 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
• 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
• 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
• 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
• マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
• マイクロアレイ波長選択光源のデバイス設計 : MMIの3次元BPMと、実験結果との比較
• 異波長帯マイクロアレイ波長選択光源のウエハ内一括作製

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