須藤 信也 | NECシステムデバイス研究所
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概要
関連著者
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須藤 信也
NECシステムデバイス研究所
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須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
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工藤 耕治
NECシステムデバイス研究所
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工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
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佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
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佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
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佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
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水谷 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
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難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
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佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
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水谷 健二
NECシステムデバイス研究所
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大矢 昌輝
Nec システムデバイス研究所
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佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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笠原 健一
立命館大学
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大矢 昌輝
NECシステムデバイス研究所
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浜本 貴一
NECシステムデバイス研究所
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清水 省吾
立命館大学理工学部
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笠原 健一
立命館大学大学院理工学研究科
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ドゥ メルリール
NECシステムデバイス研究所
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佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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清水 省吾
立命館大学大学院理工学研究科
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山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
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出来 裕香里
NECシステムプラットフオーム研究所
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高橋 森生
NECシステムプラットフオーム研究所
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山崎 裕幸
NECシステムプラットフオーム研究所
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高橋 森生
NECネットワーキング研究所
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鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
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屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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竹内 剛
Necナノエレクトロニクス研究所
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竹内 剛
Necシステムプラットフォーム研究所
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鈴木 耕一
NEC ネットワーキング研究所
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高橋 森生
NEC光デバイス事業部
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山崎 裕幸
NEC光デバイス事業部
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高橋 森生
NECナノエレクトロニクス研究所
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鈴木 耕一
NEC光デバイス事業部
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山崎 裕幸
Necシステムプラットフォーム研究所
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出来 裕香理
NECシステムプラットフォーム研究所
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出来 裕香理
Necナノエレクトロニクス研究所
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屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
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千田 浩明
NECシステムデバイス研究所
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モハマド ダニアル
立命館大学理工学部
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ダニアル モハマド
立命館大学理工学部
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加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
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千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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加藤 友章
Necシステムipコア研究所
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古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
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玉貫 岳正
日本電気(株)ネットワーキング研究所
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
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畠山 大
NECシステムデバイス研究所
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森 一男
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
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室谷 義治
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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須藤 信也
NEC システムデバイス研究所
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浜本 貴一
NEC システムデバイス研究所
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鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
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岡本 健志
NECナノエレクトロニクス研究所
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森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
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佐藤 成哲
NEC化合物デバイス事業部
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森本 卓夫
NECシステムデバイス研究所
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石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
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佐藤 成哲
Nec化合物デバイス株式会社
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ドゥ・メルリール ヤン
NECシステムデバイス研究所
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玉貫 岳正
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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岡本 健志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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細田 哲也
NEC化合物デバイス株式会社
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石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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ニールセン マッス
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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ニールセン マッス
NECシステムデバイス研究所
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岡本 健志
NECシステムデバイス研究所
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石坂 政茂
NEC化合物デバイス事業部
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横山 吉隆
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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森 一男
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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山口 晶幸
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
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森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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玉貫 岳正
Nec光・超高周波デバイス研究所
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石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
著作論文
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- CS-3-3 アクティブMMIによるFTTH用1V駆動レーザー(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- C-4-34 SOA変調器集積外部共振器型波長可変レーザの2.5Gbps-360kmフルバンド伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)