室谷 義治 | NEC光・無線デバイス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
-
石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小松 啓郎
Nec
-
室谷 義治
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
-
石坂 政茂
NEC Ul開研
-
小林 健一
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
小林 健一
Nec光・無線デバイス研究所
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
石川 信
NEC化合物デバイス(株)
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
古嶋 裕司
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
Nec Ul開研
-
伊藤 彰浩
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NEC化合物デバイス(株)
-
佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
-
黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
奥田 哲朗
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
屋敷 健一郎
NEC光・無線デバイス研究所
-
工藤 耕治
NEC光・無線デバイス研究所
-
横山 吉隆
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山口 昌幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
-
佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
-
阪田 康隆
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
-
工藤 耕治
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
栗原 佑介
NEC化合物デバイス(株)
-
森 一男
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
-
黄 翊東
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
佐藤 健二
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
-
佐々木 達也
NEC 光・無線デバイス研究所
-
須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
-
森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
屋敷 健一郎
NEC 光・無線デバイス研究所
-
黄 〓東
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
清水 淳一
NEC Ul開研
-
室谷 義治
関西エレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所
-
浜本 貴一
NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所
-
畠山 大
NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所
-
山口 昌幸
NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所
-
森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
-
玉貫 岳正
日本電気(株)ネットワーキング研究所
-
厚井 大明
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
-
山口 昌幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 豪
NEC化合物デバイス(株)
-
屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
-
須藤 信也
NECシステムデバイス研究所
-
工藤 耕治
NECシステムデバイス研究所
-
小林 隆二
NEC光・無線デバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NEC光・無線デバイス研究所
-
厚井 大明
NEC光・無線デバイス研究所
-
大澤 洋一
NEC光・無線デバイス研究所
-
次田 拓実
NEC光・無線デバイス研究所
-
中村 隆宏
NEC光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
奥田 哲朗
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
浜本 貴一
NECシステムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
森 一男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
阿江 敬
NEC 光・無線デバイス研究所
-
杉本 宝
NECネットワーキング研究所
-
阿江 敬
NEC光・無線デバイス研究所
-
加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
-
御田村 和宏
Nec化合物デバイス株式会社
-
伊藤 彰浩
NEC化合物デバイス株式会社
-
加藤 秀典
NEC化合物デバイス株式会社
-
清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
-
向原 一誠
NEC化合物デバイス株式会社
-
荒山 達朗
NEC化合物デバイス株式会社
-
奥田 哲朗
NEC光無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NEC光無線デバイス研究所
-
森本 卓夫
NECシステムデバイス研究所
-
向原 一誠
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
安食 浩司
NEC関西
-
山田 博仁
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
次田 拓実
NEC システムデバイス研究所
-
畠山 大
NEC 光・無線デバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC 光・無線デバイス研究所
-
鈴木 尚文
NEC 光・無線デバイス研究所
-
須藤 信也
NEC 光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NEC 光・無線デバイス研究所
-
佐藤 健二
NEC 光・無線デバイス研究所
-
森本 卓夫
NEC 光・無線デバイス研究所
-
玉貫 岳正
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
藍川 俊治
NEC化合物デバイス(事)
-
横山 吉隆
NEC 光・超高研
-
北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
-
細田 哲也
NEC化合物デバイス株式会社
-
石坂 政茂
NEC化合物デバイス事業部
-
横山 吉隆
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
森 一男
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
山口 晶幸
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
宇治 俊男
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
宇治 俊男
NEC関西エレ研
-
玉貫 岳正
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
杉本 宝
日本電気株式会社
-
厚井 大明
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
-
屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
-
宇治 俊男
Nec 関西エレクトロニクス研
-
御田村 和宏
Nec化合物デバイス
著作論文
- C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-30 広温度動作10Gb/s直接変調DFB-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-10 10Gb/s 直接変調用 1.3μm 帯 AlGaInAs BH DFB-LD
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- C-4-11 10Gb/s 用 LDD 内蔵表面実装型直接変調 DFB レーザモジュール
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- 広帯域CATV用低歪PC-LDアレイ