加藤 豪 | Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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概要
関連著者
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加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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阪田 康隆
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NEC光・無線デバイス研究所
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Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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NEC化合物デバイス(株)
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NEC化合物デバイス(株)
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Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
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小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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NECシステムデバイス研究所
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大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
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NECシステムデバイス研究所
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大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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NEC化合物デバイス(株)
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石川 信
NEC化合物デバイス(株)
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加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
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鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
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清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
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佐藤 成哲
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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向原 一誠
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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阿江 敬
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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藤井 宏明
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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冨田 恵作
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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遠坂 憲司
九州電子株式会社
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阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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厚井 大明
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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加藤 友章
Necシステムipコア研究所
著作論文
- C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-30 広温度動作10Gb/s直接変調DFB-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-12 対称10G-EPON ONU用一芯双方向モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 10GBASE-LRM用直接変調FP-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)