大澤 洋一 | NECシステムデバイス研究所
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概要
関連著者
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
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大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
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大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
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室谷 義治
NEC化合物デバイス(株)
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奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
石川 信
NEC化合物デバイス(株)
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
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加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
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鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
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加藤 友章
Necシステムipコア研究所
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難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
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徳留 圭一
NECシステムデバイス研究所
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徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
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難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
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加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
加藤 豪
NEC化合物デバイス(株)
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栗原 佑介
NEC化合物デバイス(株)
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黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
著作論文
- C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)