C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-07
著者
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
-
徳留 圭一
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
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