立ち上がり遅延補償回路を用いたゲート型8×8マトリクススイッチの10Gbs/ch光セルスイッチング
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概要
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光ATM交換機,光インタコネクション等への適用を目指し,大規模光スイッチの研究が進められている。半導体光増幅器を光ゲート(SOAG)として用いたゲート型光スイッチは,-50dB以上の低クロストークと,nsecオーダの高速スイッチングが可能であるとともに,集積化による小型低消費電力化が期待できることから,図1に示すGated-Divider/Passive-Combine型空間光スイッチ(GDPC-SW)への応用が進められている。しかしSOAGはLDの直接変調時の発振遅延と同様の立ち上がり遅延(TOD:Turn-on-Delay)を伴い、光セル型切換に要するガードタイムを増加させるため,光ATM交換機に代表されるセル型光スイッチ網においてI0Gbps/ch以上の大容量化を進める上で,スループットの低下が懸念される。本稿では,簡単なTOD補償回路を提案し,GDPC-SWの低クロストークとTODの補償を両立するとともに,マトリクス規模を8×8まで拡大したGDPC-SWの,80Gbpsスループット光セルスイッチング特性について述べる。
- 1996-09-18
著者
-
加藤 友章
NEC光・無線デバイス研究所
-
逸見 直也
NEC光エレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
NEC光エレクトロニクス研究所
-
竹下 仁士
日本電気(株)
-
高橋 成五
Nec光エレクトロニクス研究所
-
北村 昌太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
竹下 仁士
NEC光エレクトロニクス研究所
-
北村 昌太郎
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
-
加藤 友章
日本電気(株)
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