1.55μm帯LDアンプゲートモジュール
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概要
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光マトリクススイッチの光ゲートエレメントとして,LDアンプゲー-トが注目されている.LDアンプゲー-トは,50dB程度の大きな消光比を容易にとれるため,クロストークの大変小さいマトリクススイッチを構成できる.このLDアンプゲー-トには,低電流駆動とゲート通過による光信号劣化を生じないことが望まれている.今回,選択MOVPE技術を用いて開発した偏光無体存型LDアンプに,光ゲート動作に適した素子改良を加えた.その結果,25mAの低電流注入で光挿入損失ゼロ駆動となるゲートモジュールが実現できたうえ,2.5Gbps光信号に対し広いダイナミックレンジ(モジュール光入力-27dBmから0dBmで受信感度劣化1dB以下)を実現できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-12
著者
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
北村 直樹
日本電気株式会社光デバイス事業部
-
蔵田 和彦
日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所
-
蔵田 和彦
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
-
木村 直樹
NEC伝送デバイス事業部
-
北村 昌太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
蔵田 和彦
NEC第二伝送通信事業部
-
木村 直樹
NEC第二伝送事業部
-
北村 直樹
Nec 光エレクトロニクス研
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