EA変調器の順方向自己バイアス現象によるチャーピングの増大とその抑制
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概要
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変調器集積化DFB LDは低チャープな光強度変調が可能なため、長距離・大容量光通信用光源として実用化が進んでいる。変調器の駆動回路は一般に、変調信号のマーク率変動があってもバイアス電圧が変動しないように、DC結合で構成されている。今回、電界吸収型(EA)変調器の駆動回路に出力インピーダンスの高いDC結合を用いた場合、バイアス電圧の順方向側へのシフトが発生し、同時にチャーピングが増大する現象を初めて明らかにした。また、それを抑制できる簡単な回路構成による変調器ドライブ方法について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec
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小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
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小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
渡部 信孝
NEC光エレクトロニクス研究所、第二伝送事業部
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