小松 啓郎 | Nec Ulsiデバイス開発研究所

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概要

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• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 小松 啓郎

  Nec

• 小松 啓郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 山口 昌幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 井元 康雅

  Nec Ul開研

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 清水 淳一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 北村 昌太郎

  NEC 化合物デバイス(事)

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 竹内 剛

  Nec光無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 清水 淳一

  NEC化合物デバイス株式会社

• 竹内 剛

  Nec光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 田口 剣申

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

• 石坂 政茂

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山崎 裕幸

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 畠山 大

  NECシステムデバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 浜本 貴一

  NECシステムデバイス研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 浜本 貴一

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 竹内 剛

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 田口 剣申

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 林 雅子

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 牧田 紀久夫

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 石坂 政茂

  NEC Ul開研

• 清水 淳一

  NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 北村 光弘

  Nec

• 屋敷 健一郎

  NEC光・無線デバイス研究所

• 加藤 友章

  NEC光・無線デバイス研究所

• 加藤 友章

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 古嶋 裕司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 北村 昌太郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 北村 光弘

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 加藤 友章

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 安食 浩司

  NEC関西

• 横山 吉隆

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 高井 徹

  NEC関西

• 加藤 広己

  NEC関西

• 畠山 大

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 裕幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 竹内 剛

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 牧田 紀久夫

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 北村 昌太郎

  NEC化合物デバイス事業部

• 細田 哲也

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 石坂 政茂

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 清水 淳一

  NEC Ul開研

• 山崎 裕幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 木村 直樹

  NEC伝送デバイス事業部

• 室谷 義治

  関西エレ研

• 谷口 義登

  NEC関西

• 森江 正夫

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  日本電気(株)光エレクトロニクス研究所

• 田口 剣申

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 阪田 康隆

  ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  ULSIデバイス開発研究所

• 森江 正夫

  Nec C&cメデイア研究所

• 玉貫 岳正

  日本電気(株)ネットワーキング研究所

• 山崎 裕幸

  NECシステムプラットフオーム研究所

• 工藤 耕治

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC化合物デバイス(株)

• 奥田 哲朗

  NEC光・無線デバイス研究所

• 後藤 明生

  日本電気株式会社光デバイス事業部

• 室谷 義治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部

• 畠山 大

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 杉山 優子

  Nec光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 山本 雅樹

  Nec化合物デバイス事業部

• 北村 直樹

  日本電気株式会社光デバイス事業部

• 北村 光弘

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光・無線デバイス研究所

• 畠山 大

  NEC光・無線デバイス研究所

• 玉貫 岳正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 畠山 大

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

• 向原 一誠

  NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部

• 加藤 友章

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 山崎 裕幸

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 蓮見 秀世

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 木村 直樹

  NEC第2伝送通信事業部

• 藍川 俊治

  NEC化合物デバイス(事)

• 横山 吉隆

  NEC 光・超高研

• 奥貫 雄一郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 厚井 大明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 後藤 明生

  NEC伝送デバイス事業部

• 石坂 政茂

  NEC光超高周波研究所

• 室谷 義治

  関西エレクトロニクス研究所

• 加藤 広巳

  NEC関西

• 工藤 耕治

  NEC光超高周波研究所

• 山口 昌幸

  NEC光超高周波研究所

• 井元 康雅

  NECULSIデバイス開発研究所

• 小松 啓郎

  NEC化合物デバイス事業部

• 阪田 康隆

  NEC LSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC LSIデバイス開発研究所

• 向原 一誠

  NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 長谷川 芳弘

  NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 高野 信司

  NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 渡部 信孝

  NEC光エレクトロニクス研究所、第二伝送事業部

• 浜本 貴一

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 林 雅子

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  NEC エレクトロニクス研究所

• 小松 哲郎

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 北村 昌太郎

  日本電気(株)光エレクトロニクス研究所

• 北村 光弘

  日本電気(株)光エレクトロニクス研究所

• 山崎 裕幸

  Necシステムプラットフォーム研究所

• 佐々木 善浩

  化合物デバイス事業部

• 小松 啓郎

  化合物デバイス事業部

• 山崎 裕幸

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 北村 光弘

  日本電気(株)

• 厚井 大明

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 北村 直樹

  Nec 光エレクトロニクス研

• 北村 昌太郎

  日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所

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著作論文

• 10Gb/s変調器集積化光源とそのチャープ特性の検討
• 全選択MOVPE成長半導体レーザ (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
• 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
• バンドギャップ制御選択MOVPE成長を用いた窓構造光変調器/DFBレーザ集積化光源
• 500mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
• C-4-15 200mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
• 高温高信頼1.3μm歪MQW-ASM-DC-PBHレーザ
• C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
• 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
• 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
• スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
• 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
• 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
• 光ゲート用SSC-SOA
• 低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール
• S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
• 2.5Gb/s DFB/MOD の通常分散ファイバー800km伝送
• 低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
• MOVPE選択成長を用いた光変調器集積化光源
• 10Gb/s光通信用バタフライ型EA変調器集積光源モジュール
• アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
• プリバイアス印加による変調器集積化光源のブルーチャープ機構の解析とトレランスの検討
• MOVPE選択成長を用いたInP系8×8スターカップラ
• 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
• EA変調器の順方向自己バイアス現象によるチャーピングの増大とその抑制
• 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
• 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
• バンドギャップ制御選択MOVPEによる10Gb/s用変調器集積化光源
• 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
• 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
• DFB-LD/変調器集積化光源における低電圧・高出力化の検討
• 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
• オフセットバイアス・フリーでプッシュプル駆動可能な半導体Mach-Zehnder変調器
• 選択MOVPE法による低動作電流型LDアンプアレイ
• 吸収変化を伴うMQW Mach-Zehnder変調器におけるチャーピングの解析
• 変調器集積化光源の低チャープ動作条件の検討(II)
• MOVPE選択成長による偏光無依存型1.3μm帯LDアンプアレイ
• SC-3-3 光アクセス系用半導体レーザ

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