谷口 義登 | NEC関西

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概要

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• NEC関西の論文著者

関連著者

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 谷口 義登

  NEC関西

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 井元 康雅

  Nec Ul開研

• 山口 昌幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 清水 淳一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小松 啓郎

  Nec

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 清水 淳一

  NEC化合物デバイス株式会社

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 高井 徹

  NEC関西

• 加藤 広己

  NEC関西

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 蓮見 秀世

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 森本 卓夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 安食 浩司

  NEC関西

• 石坂 政茂

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 室谷 義治

  関西エレ研

• 石坂 政茂

  NEC光超高周波研究所

• 室谷 義治

  関西エレクトロニクス研究所

• 加藤 広巳

  NEC関西

• 工藤 耕治

  NEC光超高周波研究所

• 山口 昌幸

  NEC光超高周波研究所

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 田辺 浩一

  NEC 関西

• 安食 浩司

  NEC 関西

• 谷口 義登

  NEC 関西

• 松前 友彦

  NEC 関西

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著作論文

• 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
• 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
• 全MOVPE選択成長型1.3μm歪MQW-BHレーザの高均一特性

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