森本 卓夫 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC ULSIデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 森本 卓夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 蓮見 秀世

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 井元 康雅

  Nec Ul開研

• 村上 智樹

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 古嶋 裕司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 細田 哲也

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 榎谷 順

  NEC化合物デバイス事業部

• 高野 信司

  NEC化合物デバイス事業部

• 安食 浩司

  NEC関西

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 谷口 義登

  NEC関西

• 田辺 浩一

  NEC 関西

• 安食 浩司

  NEC 関西

• 谷口 義登

  NEC 関西

• 松前 友彦

  NEC 関西

• 上原 邦夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 上原 邦夫

  日本電気(株)

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著作論文

• 全MOVPE選択成長による, 1.3μm 帯歪MQW-BHレーザ
• 全MOVPE選択成長型1.3μm歪MQW-BHレーザの高均一特性
• 耐環境性1.55μmλ/4シフト歪MQW-DFB LDモジュールの伝送特性

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