村上 智樹 | Nec Ulsiデバイス開発研究所
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概要
関連著者
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村上 智樹
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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佐々木 善浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
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蓮見 秀世
NEC ULSIデバイス開発研究所
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古嶋 裕司
NEC ULSIデバイス開発研究所
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古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
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清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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杉山 優子
Nec光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部
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森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
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清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
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阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
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杉山 優子
NEC化合物デバイス事業部
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細田 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
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森本 卓夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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榎谷 順
NEC化合物デバイス事業部
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冨田 恵作
NEC化合物デバイス事業部
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高野 信司
NEC化合物デバイス事業部
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佐々木 善浩
NEC・ULSIデバイス開発研
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山根 正宏
NEC関西
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安食 浩司
NEC関西
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田辺 浩一
NEC関西
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吉野 隆
NEC・化合物デバイス(事)
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細野 泰宏
NEC・化合物デバイス(事)
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村上 智樹
NEC・ULSIデバイス開発研
-
森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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田辺 浩一
NEC 関西
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阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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細野 泰宏
Nec
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井元 康雅
Nec Ul開研
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冨田 恵作
Nec化合物デバイス
著作論文
- 1.3μm帯歪補償MQWλ/4シフトDFB-LDによる広温度範囲2.5Gb/s-51km伝送
- 全MOVPE選択成長による, 1.3μm 帯歪MQW-BHレーザ
- 耐環境性1.3μm帯歪MQWλ/4シフトDFB-LD
- 1.65μm帯OTDR用半導体レーザ