耐環境性1.3μm帯歪MQWλ/4シフトDFB-LD
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概要
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近年、加入者系光通信網等の用途に広い温度範囲において良好な光出力及び伝送特性を有するDFB-LDへの要求が高まっている。我々はこれまでに均一回折格子の1.3μmDFB-LDの量子井戸に圧縮歪を導入することにより高温動作特性を改善し、-20℃〜+85℃での良好な622Mb/s伝送特性と、85℃-5mW出力でMTTF20万時間の高信頼性動作を実現している。一方、λ/4シフト回折格子のDFB-LDは単一軸モード安定性等の点で均一回折格子の素子よりも優れたスペクトル特性を有し、伝送特性の向上を期待できるが、高温・高出力特性に関しては均一回折格子の素子に劣るとされている。今回、我々はλ/4シフトDFB-LDに対し、歪量子井戸構造の導入と素子構造の最適化により高温動作特性を改善し、動作温度範囲,反射戻り光耐力等の点で均一回折格子のDFB-LDよりも優れた伝送特性を確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
村上 智樹
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
佐々木 善浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
古嶋 裕司
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
蓮見 秀世
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
榎谷 順
NEC化合物デバイス事業部
-
冨田 恵作
NEC化合物デバイス事業部
-
高野 信司
NEC化合物デバイス事業部
-
古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
-
冨田 恵作
Nec化合物デバイス
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