全MOVPE選択成長型1.3μm歪MQW-BHレーザの高均一特性
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概要
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光加入者系や、光インターコネクションに用いられる半導体レーザ山Dには、温度特性に優れた低しきい値動作が要求される。さらに最も重要なことは、この様な高性能LDをいかに低コストで実現できるかであり、均一性、制御性に優れる製造方法の確立が重要である。我々はMOVPE選択成長法を用いることで、歪MQW活性層ストライプを、半導体のエッチング工程を用いることなく直接形成し、さらに、セルフアラインマスク形成技術円を適用することにより、全MOVPE選択成長型(ASM: AU Selective MOVPE grown)BH-LDを実現した。作製したLDは、pnpn電流狭窄構造中にInGaAsP層が挿入されたDC-PBH構造となっており、良好な温度特性を有する、低しきい値LDを優れた均一性で実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
蓮見 秀世
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
森本 卓夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
安食 浩司
NEC関西
-
谷口 義登
NEC関西
-
森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
-
田辺 浩一
NEC 関西
-
安食 浩司
NEC 関西
-
谷口 義登
NEC 関西
-
松前 友彦
NEC 関西
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
井元 康雅
Nec Ul開研
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