変調器集積化光源の低チャープ動作条件の検討(II)
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概要
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我々は前回、新たに提案した変調器集積化光源のチャーピング定量化法を用いて、2.5Gb/s-80km以上のペナルティフリー伝送を実現するために要求される変調器端面反射率(R)及び素子間分離抵抗(r)の値を明らかにした。今回、同様の手法を用いて、DFB LDの回折格子結合係数(kL)及び微分利得(dg/dN)について、低チャーピング動作条件を検討した。さらに、これらの諸条件を全て満足する素子を用いて2.5Gb/s-120kmのペナルティフリー伝送を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec
-
北村 光弘
NEC光エレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
NEC光・無線デバイス研究所
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
加藤 友章
NEC光エレクトロニクス研究所
-
阪田 康隆
ULSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
ULSIデバイス開発研究所
-
北村 光弘
Nec
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
井元 康雅
Nec Ul開研
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