マイクロアレイ波長選択光源のデバイス設計 : MMIの3次元BPMと、実験結果との比較
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概要
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我々は、独自のマイクロアレイ選択成長技術(MASE)を用いて、波長帯の異なる波長選択光源の1ウェハー内一括作製を行った。この波長選択光源は、8アレイのDFBレーザと8×1-MMI光合波器、半導体光増幅器(SOA)、EA光変調器をモノリシック集積したもので、チップ面積は、1.136mm^2と非常に小型である。1つの光源で、約15nmの波長範囲を、均一なデバイス特性でカバーし、一括形成された3個の波長選択光源により47nmの波長範囲をカバーした。ここでは、この波長選択光源のデバイス設計を中心に、特にMMIに焦点をあてて議論を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-19
著者
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
屋敷 健一郎
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
浜本 貴一
NECシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
-
森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
森本 卓夫
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山口 昌幸
日本電気株式会社
-
横山 吉隆
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
浜本 貴一
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
横山 吉隆
日本電気株式会社光デバイス事業部
-
森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社
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