直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
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概要
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直接変調1.55μm帯位相シフトDFB-LDの動的反射鏡損失の帰還効果(Feedback Effect of Mirror Loss, FEML)による低チャープ動作について検討し、位相シフト量がλ/4より小さい素子は負のFEMLがあり、低チャープLDの実現に有効であることが明らかになった。λ/8位相シフトDFB-LDの2.5Gb/s変調、100km伝送後のパワーペナルティーは8.5〜14.5dBに渡る広い消光比の範囲においてほぼ1dB(@BER=10^<-10>)以下で、3λ/8及びλ/4位相シフトDFB-LDより小さく、メトロポリタンネットワークなどに用いられる光源として有望であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-30
著者
-
佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
小林 健一
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
小林 健一
Nec光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
-
黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
黄 翊東
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
佐藤 健二
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
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