佐藤 健二 | Necナノエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
-
水谷 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 健志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 健志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
-
佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
-
工藤 耕治
NECシステムデバイス研究所
-
ニールセン マッス
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
須藤 信也
NECシステムデバイス研究所
-
水谷 健二
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 健二
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 峰斗
NECシステムIPコア研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
岡本 健志
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
水谷 健二
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社
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奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
水谷 健二
NECシステムデバイス研究所
-
ドゥ メルリール
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
-
山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
-
出来 裕香里
NECシステムプラットフオーム研究所
-
高橋 森生
NECシステムプラットフオーム研究所
-
山崎 裕幸
NECシステムプラットフオーム研究所
-
高橋 森生
NECネットワーキング研究所
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加藤 友章
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
竹内 剛
Necナノエレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
Necシステムプラットフォーム研究所
-
鈴木 耕一
NEC ネットワーキング研究所
-
高橋 森生
NEC光デバイス事業部
-
山崎 裕幸
NEC光デバイス事業部
-
高橋 森生
NECナノエレクトロニクス研究所
-
鈴木 耕一
NEC光デバイス事業部
-
佐藤 峰斗
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山崎 裕幸
Necシステムプラットフォーム研究所
-
出来 裕香理
Necナノエレクトロニクス研究所
-
小林 健一
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
小林 健一
Nec光・無線デバイス研究所
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鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
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小林 健一
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
-
森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
出来 裕香理
NECシステムプラットフォーム研究所
-
森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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千田 浩明
NECシステムデバイス研究所
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屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
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奥田 哲朗
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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室谷 義治
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
ニールセン マッス
NECナノエレクトロニクス研究所
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山瀬 知行
日本電気株式会社
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千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
山瀬 知行
NECシステムIPコア研究所
-
野口 栄実
NECシステムIPコア研究所
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屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
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黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
-
黄 翊東
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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佐藤 健二
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
室谷 義治
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐久間 寿人
Necナノエレクトロニクス研究所
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難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
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佐々木 達也
NEC光・無線デバイス研究所
-
屋敷 健一郎
NEC光・無線デバイス研究所
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佐藤 健二
NEC光・無線デバイス研究所
-
畠山 大
NEC光・無線デバイス研究所
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須藤 信也
NEC光・無線デバイス研究所
-
工藤 耕治
NEC光・無線デバイス研究所
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佐藤 成哲
Nec化合物デバイス株式会社
-
黄 〓東
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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水谷 健二
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
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須藤 信也
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
佐藤 健二
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
工藤 耕治
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
佐藤 健二
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
高江洲 績全
NEC R&Dサボートセンター
-
堀江 美香
NEC R&Dサボートセンター
-
工藤 耕治
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
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森 一男
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
-
森 一男
NEC 光・無線デバイス研究所
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阿江 敬
NEC 光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
NEC 光・無線デバイス研究所
-
阿江 敬
NEC光・無線デバイス研究所
-
佐藤 成哲
NEC化合物デバイス事業部
-
高江洲 績全
R&dサポートセンター
-
ドゥ・メルリール ヤン
NECシステムデバイス研究所
-
古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
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畠山 大
NEC 光・無線デバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC 光・無線デバイス研究所
-
鈴木 尚文
NEC 光・無線デバイス研究所
-
須藤 信也
NEC 光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NEC 光・無線デバイス研究所
-
屋敷 健一郎
NEC 光・無線デバイス研究所
-
佐藤 健二
NEC 光・無線デバイス研究所
-
森本 卓夫
NEC 光・無線デバイス研究所
-
佐藤 峰斗
NECナノエレクトロニクス研究所
-
Nielsen M.L.
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
岡本 健志
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
鶴岡 清貴
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
ニールセン マッス
NECシステムデバイス研究所
-
岡本 健志
NECシステムデバイス研究所
-
ドゥ メルリール
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
佐藤 成哲
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
-
正野 篤士
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
-
佐藤 健二
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
室谷 義治
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
正野 篤士
Nec Compound Semiconductor Devices Ltd.
-
堀江 美香
R&dサポートセンター
-
出来 裕香里
Necシステムプラットフォーム研究所
著作論文
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- CS-9-4 InP-MZ変調器集積チューナブルレーザ(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- C-4-5 MZ変調器集積フルCバンド波長可変小型10Gbps-80km伝送モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をギノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性、一般)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-21 半導体MZ・ループリングフィルタを用いた小型広帯域波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-14 MZ変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 液晶チューナブルミラーを用いたITLA対応小型波長可変レーザモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-34 SOA変調器集積外部共振器型波長可変レーザの2.5Gbps-360kmフルバンド伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-30 液晶チューナブルミラーを用いた高出力・広帯域外部共振器型波長可変レーザモジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-3-89 導波路リング共振器と半導体光増幅器による波長可変レーザ(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- EB露光回折格子のスティッチングエラー評価
- 高効率な非対称回折格子周期変調位相シフトDFBレーザ
- 重み付けEB露光によるDFBレーザ回折格子の位相精密制御
- C-3-30 90-nm CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器 (光エレクトロニクス)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)