小林 隆二 | Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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概要
関連著者
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
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室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
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石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
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加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
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奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
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阪田 康隆
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
-
佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
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徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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室谷 義治
NEC化合物デバイス(株)
-
石川 信
NEC化合物デバイス(株)
-
千田 浩明
NECシステムデバイス研究所
-
屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
-
須藤 信也
NECシステムデバイス研究所
-
佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
-
工藤 耕治
NECシステムデバイス研究所
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
-
加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
-
屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
-
伊藤 彰浩
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
-
徳留 圭一
NECシステムデバイス研究所
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阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
厚井 大明
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
-
鶴岡 清貴
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
小林 隆二
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
難波江 宏一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
加藤 友章
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
加藤 豪
NEC化合物デバイス(株)
-
栗原 佑介
NEC化合物デバイス(株)
-
黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
-
小林 隆二
NEC光・無線デバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NEC光・無線デバイス研究所
-
厚井 大明
NEC光・無線デバイス研究所
-
大澤 洋一
NEC光・無線デバイス研究所
-
次田 拓実
NEC光・無線デバイス研究所
-
中村 隆宏
NEC光・無線デバイス研究所
-
佐藤 成哲
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
向原 一誠
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
阿江 敬
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
藤井 宏明
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
冨田 恵作
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
次田 拓実
NEC システムデバイス研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
-
厚井 大明
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
徳留 圭一
日本電気株式会社
著作論文
- C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-30 広温度動作10Gb/s直接変調DFB-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10 Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-10 10Gb/s 直接変調用 1.3μm 帯 AlGaInAs BH DFB-LD
- C-4-12 対称10G-EPON ONU用一芯双方向モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)