厚井 大明 | Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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概要
関連著者
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阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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厚井 大明
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
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阪田 康隆
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
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厚井 大明
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
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小林 功郎
東京工業大学 精密工学研究所
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小林 功郎
東京工業大学精密工学研究所
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小林 功郎
東京工業大学
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伊藤 彰浩
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
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小松 啓郎
Nec
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後藤 明生
日本電気株式会社光デバイス事業部
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小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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佐々木 善浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
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加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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山崎 裕幸
NEC光デバイス事業部
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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奥貫 雄一郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山崎 裕幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
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厚井 大明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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後藤 明生
NEC伝送デバイス事業部
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木村 直樹
NEC伝送デバイス事業部
著作論文
- 狭幅選択MOVPEのプロファイルシミュレーションとスポット変換器集積レーザヘの応用(レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作