山崎 裕幸 | NECナノエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
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山崎 裕幸
NEC光デバイス事業部
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高橋 森生
NECネットワーキング研究所
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鈴木 耕一
NEC ネットワーキング研究所
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高橋 森生
NEC光デバイス事業部
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鈴木 耕一
NEC光デバイス事業部
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NECナノエレクトロニクス研究所
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高橋 森生
NECナノエレクトロニクス研究所
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出来 裕香里
NECシステムプラットフオーム研究所
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出来 裕香理
Necナノエレクトロニクス研究所
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竹内 剛
Necナノエレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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NEC化合物デバイス事業部
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高橋 森生
NECシステムプラットフオーム研究所
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山崎 裕幸
NECシステムプラットフオーム研究所
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Necシステムプラットフォーム研究所
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竹内 剛
Necシステムプラットフォーム研究所
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渡邊 真也
Necナノエレクトロニクス研究所
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Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
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NEC山梨
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山崎 裕幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
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Necシステムプラットフォーム研究所
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NECシステムデバイス研究所
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栗原 充
NECシステム実装研究所
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鈴木 耕一
NECネットワーキング研究所
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山崎 裕幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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Necナノエレクトロニクス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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NEC光デバイス事業部
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NEC光デバイス事業部
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NEC光デバイス事業部
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NEC光デバイス事業部
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石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
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堀江 美香
R&dサポートセンター
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佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
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石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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水谷 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
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宮崎 孝
R&dサポートセンター
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山崎 裕幸
NECネットワークス光デバイス事業部
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山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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須藤 信也
NECシステムデバイス研究所
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須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
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阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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出来 裕香里
NECナノエレクトロニクス研究所
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富田 功
NEC光デバイス事業部
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水谷 健二
NECシステムデバイス研究所
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古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
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ドゥ メルリール
NECシステムデバイス研究所
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出来 裕香理
NECシステムプラットフォーム研究所
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工藤 耕治
NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所
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山口 昌幸
NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所
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石坂 政茂
NEC株式会社 光・超高周波デバイス研究所
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佐々木 達也
NEC株式会社 光・超高周波デバイス研究所
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山崎 裕幸
NEC株式会社 光・超高周波デバイス研究所
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竹内 剛
NECシステムプラットフオーム研究所
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高江洲 績全
NEC R&Dサボートセンター
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堀江 美香
NEC R&Dサボートセンター
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下田 毅
NECネットワーキング研究所
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古川 昭雄
NECネットワーキング研究所
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中松 郁雄
NECネットワークス光デバイス事業部
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工藤 耕治
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山口 昌幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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渡邊 真也
Nec光デバイス事業部
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山崎 裕幸
NEC 光エレクトロニクス研究所
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古嶋 裕司
NEC光・超高周波デバイス研究所
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阪田 康隆
ULSIデバイス開発研究所
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佐々木 善浩
ULSIデバイス開発研究所
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下田 毅
Nec ネットワーキング研
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畑中 孝明
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宮崎 孝
NEC R&Dサボートセンター
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小松 啓郎
Nec
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佐々木 達也
NEC 光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
NEC光エレクトロニクス研究所
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栗原 充
NEC生産技術研究所
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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細田 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
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加藤 弘之
NECネットワークス光デバイス事業部
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奥貫 雄一郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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工藤 耕治
NEC光エレクトロニクス研究所
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河内 麻美
Nec山梨
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厚井 大明
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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井元 康雅
Nec Ul開研
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小林 功郎
東京工業大学 精密工学研究所
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小林 功郎
東京工業大学精密工学研究所
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小林 功郎
東京工業大学
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阪田 康隆
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
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厚井 大明
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
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佐々木 純一
山梨日本電気株式会社光モジュール開発グループ
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渡邊 真也
NECキャリアネットワークビジネスユニット 光デバイス事業部
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畑中 孝明
NECネットワークス光デバイス事業部
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高江洲 績全
NECネットワーキング研究所
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潮田 淳
NECネットワーキング研究所
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賣野 豊
NECネットワークス光デバイス事業部
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矢野 隆
日本電気株式会社光ネットワーク事業部
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江村 克己
Nec C&cメディア研究所
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江村 克己
Nec光エレクトロニクス研究所
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小野 隆志
NEC光エレクトロニクス研究所
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矢野 隆
NEC光エレクトロニクス研究所
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福知 清
NEC光エレクトロニクス研究所
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伊東 俊治
NEC光エレクトロニクス研究所
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小野 隆志
Necネットワーキング研究所
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小野 隆志
Necビジネスイノベーションセンター
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清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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後藤 明生
日本電気株式会社光デバイス事業部
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小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
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伊藤 正隆
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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松本 崇
NECナノエレクトロニクス研究所
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鈴木 明
NECナノエレクトロニクス研究所
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宮崎 孝
NECシステムプラットフオーム研究所
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高江洲 積全
NECシステムプラットフオーム研究所
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堀江 美香
NECシステムプラットフオーム研究所
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古嶋 裕司
NEC ULSIデバイス開発研究所
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蓮見 秀世
NEC ULSIデバイス開発研究所
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石坂 政茂
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山口 昌幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
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田中 聡寛
Necネットワークスネットワークス開発研究所
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加藤 弘之
NEC山梨
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稲田 喜久
NECネットワークス海洋プロジェクト統括部
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高江洲 積全
NECネットワーキング研究所
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下田 毅
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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厚井 大明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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後藤 明生
NEC伝送デバイス事業部
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木村 直樹
NEC伝送デバイス事業部
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清水 淳一
NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部
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奥貫 雄一郎
NECULSIデバイス開発研究所
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鈴木 耕一
光デバイス事業部
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高江洲 績全
R&Dサポートセンター
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堀江 美香
R&Dサポートセンター
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宮崎 孝
R&Dサポートセンター
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金子 太郎
光デバイス事業部
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許 行洲
光デバイス事業部
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波若 雅彦
光デバイス事業部
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後澤 瑞征
光デバイス事業部
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仁道 正明
光デバイス事業部
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伊藤 正隆
NEC光エレクトロニクス研究所
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佐々木 善浩
化合物デバイス事業部
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小松 啓郎
化合物デバイス事業部
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山崎 裕幸
NEC ULSIデバイス開発研究所
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佐々木 純一
NEC光エレクトロニクス研究所
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大井 英之
株式会社クレステック
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林 國人
株式会社クレステック
-
林 國人
(株)クレステック
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大井 英之
(株)クレステック
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伊藤 正隆
Nec
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賣野 豊
Necネットワークス
著作論文
- 狭幅選択MOVPEのプロファイルシミュレーションとスポット変換器集積レーザヘの応用(レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-33 100GHz-FSRリング共振器を用いた広帯域波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-106 低消費電力 VOA アレイ
- 光デュオバイナリ方式を用いたWDM高密度多重化の検討
- 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
- ウエハ内一括形成されたディチューニング制御広波長域(>70 nm)異波長DFB-LD
- 500mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
- C-4-15 200mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
- C-3-34 ブリッジ構造によるリング共振器型波長可変レーザの低消費電力化(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 石英導波路リング共振器によるパッシブアライメント波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 石英導波路リング共振器によるパッシブアライメント波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 石英導波路リング共振器によるパッシブアライメント波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 石英導波路リング共振器によるパッシブアライメント波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-32 リング共振器波長可変レーザ(II) : パッシブアライメント実装(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-31 リング共振器波長可変レーザ(I) : 高出力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-113 リング共振器型可変分散補償器の伝送特性
- C-3-112 リング共振器型可変分散補償器
- スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
- バンドギャップ制御選択MOVPEによる10Gb/s用変調器集積化光源
- 電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- CS-4-4 導波路リング共振器による波長可変レーザ(CS-4.広帯域・波長可変光デバイスの最新動向とその応用,シンポジウム)
- C-3-89 導波路リング共振器と半導体光増幅器による波長可変レーザ(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-3-130 PLCリング共振器による波長可変レーザ(II)(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-129 PLCリング共振器による波長可変レーザ(I)(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- SC-3-3 光アクセス系用半導体レーザ
- 高出力EDFA励起用1.48μm帯ASMレーザの開発 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
- 導波路幅拡大構造スポットサイズ変換器集積レーザのテーパ形状最適化
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用波長制御DFB LD
- 狭幅選択MOVPEによる1.3μmスポットサイズ変換器集積LDのテーパ導波路形状の制御
- パッシブアライン高効率光結合スポットサイズ変換LD Siベンチ
- 回折格子の精密制御EB描画によるWDM用異波長DFB-LDの一括形成